FinFET ( Fin Field Effect Transistor )은 현대 프로세서 설계에 사용되는 비평면 또는 "3D"트랜지스터 유형입니다. 이전의 평면 디자인과 마찬가지로 SOI (silicon on insulator) 기판 위에 제작되었습니다. 그러나 FinFET 디자인은 또한 절연체의 레벨 이상으로 상승하는 전도 채널을 사용하여 게이트 전극이라고하는 핀처럼 얇은 실리콘 구조를 만듭니다. 이 핀 형태의 전극은 단일 트랜지스터에서 다중 게이트가 작동하도록합니다.

이러한 유형의 멀티 게이트 프로세스는 무어의 법칙을 확장하여 반도체 제조업체가 CPU 및 메모리 모듈을보다 작고, 더 빨리, 적은 에너지로 생성 할 수 있도록합니다. 인텔은 22 나노 아이비 브리지 프로세서로 2012 년 FinFET CPU 기술을 출시하기 시작했다.

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